眾所周知，美國(guó)打壓中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)，是有明確目標(biāo)的。
一是鎖死邏輯芯片在14nm，二是鎖死NAND閃存在128層，三是鎖死DRAM內(nèi)存在18nm，不允許中國(guó)的技術(shù)進(jìn)入美國(guó)的封鎖層之下。
為此，美國(guó)更是聯(lián)合日本、荷蘭等，對(duì)先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行封鎖，任何可以制造封鎖層下面的設(shè)備，都禁運(yùn)……
不過(guò)，從現(xiàn)在的情況來(lái)看，美國(guó)設(shè)的這個(gè)封鎖，全部被中國(guó)突破了。
先說(shuō)邏輯芯片方面，美國(guó)是想要鎖死在14nm工藝，但實(shí)際上呢，早就突破了。
具體的東西不太好細(xì)說(shuō)，畢竟中芯國(guó)際下線了關(guān)于14nm FinFET技術(shù)的介紹，但大家想一想麒麟900S、麒麟9010、麒麟9020這三顆芯片，就明白我們絕不可能是14nm，具體是多少，大家應(yīng)該心中有數(shù)吧，肯定是低于14nm的……
再看NAND閃存芯片，也就是大家熟悉的，用于SSD硬盤(pán)產(chǎn)品的芯片，美國(guó)的目標(biāo)是鎖死我們?cè)?28層，不再前進(jìn)。
長(zhǎng)存早在2022年就量產(chǎn)了232層的NAND芯片，并且是全球第一家量產(chǎn)232層NAND芯片的廠商，后來(lái)美國(guó)打壓長(zhǎng)存。
但據(jù)媒體的消息，目前長(zhǎng)存使用國(guó)產(chǎn)應(yīng)鏈，也實(shí)現(xiàn)了160層的NAND閃存產(chǎn)品，并且從存儲(chǔ)密度來(lái)看，達(dá)到了12.66 Gb/mm2，不輸三星、美光等國(guó)際大廠。
再看DRAM內(nèi)存方面，美國(guó)的目標(biāo)鎖死在18nm工藝，不能再前進(jìn)。
事實(shí)上18nm工藝，也就是DDR4的水平，不準(zhǔn)再進(jìn)入DDR5，因?yàn)檫M(jìn)入DDR5的話，就要突破18nm工藝了。
而近日，韓國(guó)媒體ZDNet Korea報(bào)道稱，中國(guó)DRAM芯片大廠長(zhǎng)存（CXMT）已經(jīng)量產(chǎn)了DDR5內(nèi)存芯片。
而TechInsights 的 Jeongdong Choi 博士說(shuō)則稱，這款DDR5 的開(kāi)發(fā)是使用 G3 工藝（線寬 17.5 nm）進(jìn)行的，明顯也是突破了18nm了。
可見(jiàn)，越是打壓，中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)進(jìn)步越快，美國(guó)想要封鎖的三個(gè)方向，被我們都突破了。
而按照網(wǎng)友們的說(shuō)法，一旦中國(guó)掌握的技術(shù)，那么將迅速變成白菜價(jià)，所以接下來(lái)不知道那些國(guó)際大廠，準(zhǔn)備好迎接中國(guó)廠商的沖擊了么？